Do domu > producenci >

Ampleon USA Inc.

Ampleon USA Inc.
  • Wprowadzenie
  • Najnowsze produkty
Wprowadzenie

Ampleon USA Inc.

Założona w 2015 r., Ampleon jest kształtowana przez 50 lat przywództwa RF Power i ma na celu wykorzystanie pełnego potencjału transferu danych i energii w RF. Ampleon zatrudnia ponad 1650 pracowników na całym świecie,dedykowane tworzeniu optymalnej wartości dla klientówJego innowacyjne, ale jednocześnie spójne portfolio oferuje produkty i rozwiązania dla szerokiego zakresu zastosowań, takich jak mobilna infrastruktura szerokopasmowa, radio i telewizja, lasery CO2 i plazma, MRI,akceleratory cząstek, radar i sterowanie ruchem lotniczym, komunikacja bezprzewodowa, gotowanie i rozmrażanie RF, ogrzewanie RF i oświetlenie plazmowe.

Najnowsze produkty
Obraz część # Opis producent Akcje RFQ
jakość [#varpname#] fabryka

BLA9H0912L-250U

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

C4H10P600AY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLF8G22LS-160BV,11

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLP10H660PGY

Dyskretne tranzystory mocy RF
jakość [#varpname#] fabryka

BLS7G2730LS-200PU

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLP05H6700XRY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLS9G2731LS-400U

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLC10G22XS-400AVTZ

Dyskretne tranzystory mocy RF
jakość [#varpname#] fabryka

BLF6G22LS-100,112

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLC9G27XS-380AVTZ

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLF984PSU

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLP05H635XRY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLF6G20-180PN,112

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLM7G1822S-20PBGY

RF Amplifier
jakość [#varpname#] fabryka

BLM10D2327-40ABZ

RF Amplifier
jakość [#varpname#] fabryka

BLM9D3538-12AMZ

Wzmacniacz RF
jakość [#varpname#] fabryka

BLC9H10XS-350AY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLC9H10XS-500AY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLM7G1822S-80ABGY

RF Amplifier
jakość [#varpname#] fabryka

ART2K0FEGJ

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLC9H10XS-505AZ

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLC9G27XS-380AVTY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLM8G0710S-30PBY

Wzmacniacz RF
jakość [#varpname#] fabryka

BLM10D3438-70ABGZ

RF Amplifier
jakość [#varpname#] fabryka

BLF6G22-45,112

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

Wymagania dotyczące:

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLC10G19XS-551AVY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLC9H10XS-300PY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

BLC10G22XS-570AVTY

RF Power Discrete Transistors
jakość [#varpname#] fabryka

Wymagania dotyczące:

RF Power Discrete Transistors