TH58BYG2S3HBAI4

producent:
TOSHIBA
Opis:
Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND & BENAND EEPROM
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Product Category ::
Flash Memory
Memory Type ::
NAND
Mounting Style ::
SMD/SMT
Memory Size ::
4 Gbit
Packaging ::
Tray
Package / Case ::
TFBGA-63
Series ::
TH58BYG2S3
Interface Type ::
Parallel
Operating Temperature Range ::
- 40 C to + 85 C
Manufacturer ::
Toshiba
Wprowadzenie
TH58BYG2S3HBAI4, z Toshiba, to pamięć flash. co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych części.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Obraz część # Opis
jakość [#varpname#] fabryka

TC75W70L8X,LF

Analog Comparators Comparator (CMOS)
jakość [#varpname#] fabryka

TLP3120(F)

MOSFET Output Optocouplers Voff=80V Ion=0.2A Ron=5Ohm
jakość [#varpname#] fabryka

TLP222G(TP1,F)

MOSFET Output Optocouplers Photorelay 0.12 350V 2500 Vrms 30pF 3mA
jakość [#varpname#] fabryka

TLP4227G-2(F)

MOSFET Output Optocouplers Photorelay Voff=350V Ion=0.15/0.12A dual
jakość [#varpname#] fabryka

TLP227A(F)

MOSFET Output Optocouplers Photorelay Voff=60V Ion=0.5/0.4A
jakość [#varpname#] fabryka

TLP4202G(F)

MOSFET Output Optocouplers Photorelay Voff=350V Ion=0.1/0.09A
jakość [#varpname#] fabryka

TLP227GA-2(F)

MOSFET Output Optocouplers Photorelay Voff=400V Ion=0.12A dual
jakość [#varpname#] fabryka

TLP3542(F)

MOSFET Output Optocouplers Photorelay 1-Form-A VOFF=60V 2.5A 0.1ohm
jakość [#varpname#] fabryka

TLP176G(F)

MOSFET Output Optocouplers Photorelay Voff=400V Ion=0.12A
jakość [#varpname#] fabryka

TLP197G(F)

MOSFET Output Optocouplers Photorelay Voff=350V Ion=0.12/0.11A
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: