1N26
![jakość [#varpname#] fabryka](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Opis:
Diody PIN HERMETYCZNE, DO-37, 2PIN
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Packaging ::
Bulk
Product Category ::
PIN Diodes
Manufacturer ::
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Wprowadzenie
1N26, z ASI / Advanced Semiconductor, Inc., to diody PIN. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
MZ0912B50Y
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
MRF557T
RF Bipolar Transistors RF Transistor
UML3
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
AGR21090EF
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
AGR18030EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
AGR18125EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
AGR09090EF
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
AGR19180EF
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
MZ0912B50Y |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
|
|
|
|
MRF557T |
RF Bipolar Transistors RF Transistor
|
|
|
|
UML3 |
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
|
|
|
|
AGR21090EF |
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
|
|
|
|
AGR18030EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
|
|
|
|
AGR18125EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
|
|
|
|
AGR09090EF |
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
|
|
|
|
AGR19180EF |
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: