A2T07D160W04SR3

producent:
NXP USA Inc.
Opis:
RF Power Discrete Transistors
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
21.5
Output Power (W) ::
79
Avg Power (W) ::
30
Frequency Min (GHz) ::
0.716
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
0.96
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Wprowadzenie
A2T07D160W04SR3, z NXP USA Inc., jest wzmacniaczem RF.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: