A3T19H455W23SR6

producent:
NXP USA Inc.
Opis:
RF Power Discrete Transistors
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16.4
Avg Power (W) ::
81
Frequency Min (GHz) ::
1.93
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
1.99
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Wprowadzenie
A3T19H455W23SR6, z NXP USA Inc., jest wzmacniaczem RF.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: