BLM9D2327S-50PBY
![jakość [#varpname#] fabryka](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Ampleon USA Inc.
Opis:
RF Amplifier
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Product Category ::
RF Amplifier
Type ::
RF Power MMIC
Supply Voltage \ Vd Max (V) ::
28
Gain (dB) ::
29
P1dB (dBm) ::
47
Supply Voltage \ Vd Min (V) ::
28
Frequency Min (GHz) ::
2.3
Frequency Max (GHz) ::
2.7
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
Wprowadzenie
BLM9D2327S-50PBY, z Ampleon USA Inc., jest wzmacniaczem RF.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
BLA9H0912L-250U
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
BLF8G22LS-160BV,11
RF Power Discrete Transistors
BLP10H660PGY
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200PU
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLF6G22LS-100,112
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380AVTZ
RF Power Discrete Transistors
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
BLA9H0912L-250U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF8G22LS-160BV,11 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP10H660PGY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS7G2730LS-200PU |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC10G22XS-400AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF6G22LS-100,112 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC9G27XS-380AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: