MAGX-000040-0050TP
![jakość [#varpname#] fabryka](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
MACOM
Opis:
RF JFET Transistors DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13.5 dB
Typ tranzystora::
HEMT
Output Power ::
5 W
Package / Case ::
SOT89-3
Maximum Operating Temperature ::
+ 95 C
Vds – napięcie przebicia dren-źródło::
50 V
Packaging ::
Reel
Id — ciągły prąd drenu::
0,3 A
Pd - Power Dissipation ::
12 W
Manufacturer ::
MACOM
Wprowadzenie
MAGX-000040-0050TP, z MACOM, to RF JFET Transistory. Oferujemy konkurencyjną cenę na globalnym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
MACOM Rf W Półprzewodniku MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF Półprzewodniki 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf W Półprzewodniku MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF Półprzewodniki 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: