T1G4012036-FS
Specyfikacje
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Kategoria produktu ::
Transistory JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd — rozpraszanie mocy::
117 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Opakowanie::
Płytka
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
12 A
Manufacturer ::
Qorvo
Wprowadzenie
T1G4012036-FS, od Qorvo, to RF JFET Transistory. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: