TGF2060
Specyfikacje
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Technology ::
GaAs
Kategoria produktu ::
Transistory JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Osiągać ::
12dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
2.1 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Wprowadzenie
TGF2060, od Qorvo, to RF JFET Transistory. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: