CGHV59350F

producent:
Wolfspeed / Cree
Opis:
RF JFET Transistors GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Vgs – napięcie przebicia bramka-źródło::
- 10 V, 2 V
Technology ::
GaN
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
450 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Packaging ::
Tray
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
125 V
Manufacturer ::
Wolfspeed / Cree
Wprowadzenie
CGHV59350F, od Wolfspeed / Cree, to RF JFET Transistory.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Obraz część # Opis
jakość [#varpname#] fabryka

CGHV35150F

RF JFET Transistors GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGHV60040D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGH40120F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGHV96050F2

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGH40090PP

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGHV1J025D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGHV27015S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGH27060F

RF JFET Transistors GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGHV40050F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
jakość [#varpname#] fabryka

CGH60060D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: