QPD1009
Specyfikacje
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
24 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
17 W
Package / Case ::
QFN-16
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
700 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
17.5 W
Manufacturer ::
Qorvo
Wprowadzenie
QPD1009 od Qorvo to tranzystory RF JFET. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: