TGF2955
Specyfikacje
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19.2 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
46.4 dBm
Package / Case ::
Die
Maksymalna temperatura robocza::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
100 V
Id — ciągły prąd drenu::
2,5 A
Pd - Power Dissipation ::
41 W
Producent ::
Korwo
Wprowadzenie
TGF2955, od Qorvo, to RF JFET Transistory. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: