MRFG35010ANT1
Specyfikacje
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 5 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
10 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Package / Case ::
PLD-1.5
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
15 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
2.9 A
Manufacturer ::
Freescale / NXP
Wprowadzenie
MRFG35010ANT1, z Freescale/NXP, to RF JFET Transistory. Oferujemy konkurencyjną cenę na globalnym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: