QPD1000
Specyfikacje
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
24 W
Package / Case ::
QFN-8
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
28 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
817 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Pd - Power Dissipation ::
28.8 W
Manufacturer ::
Qorvo
Wprowadzenie
QPD1000, od Qorvo, to RF JFET Transistory. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: