Wymagania dotyczące:
![jakość [#varpname#] fabryka](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Półprzewodniki NXP
Opis:
Tranzystory RF JFET Szerokopasmowa moc RF GaN HEMT
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Package / Case ::
SOT1227B
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
150 V
Opakowanie::
Rurka
Id - Continuous Drain Current ::
5.1 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Wprowadzenie
CLF1G0060S-30U, od NXP Semiconductors, to RF JFET Transistory. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: