TGF2819-FL
![jakość [#varpname#] fabryka](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Korwo
Opis:
Tranzystory RF JFET DC-3,5 GHz 32 V GaN PAE 58% przy 3,3 GHz
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds – napięcie przebicia dren-źródło::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs – napięcie przebicia bramka-źródło::
- 2,9 V
Manufacturer ::
Qorvo
Wprowadzenie
TGF2819-FL,z Qorvo,to RF JFET Transistory.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na światowym rynku,w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: