NPT1012B
![jakość [#varpname#] fabryka](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
MACOM
Opis:
Tranzystory RF JFET DC-4,0 GHz P1dB 43 dBm Wzmocnienie 13 dB GaN
Kategoria:
Półprzewodniki elektroniczne
Specyfikacje
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
Maksymalna temperatura robocza::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs – napięcie przebicia bramka-źródło::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Wprowadzenie
NPT1012B, MACOM, to tranzystory RF JFET. Oferujemy konkurencyjną cenę na światowym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
MACOM Rf W Półprzewodniku MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF Półprzewodniki 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf W Półprzewodniku MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF Półprzewodniki 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: