MRFG35003N6AT1
Specyfikacje
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 5 V
Technology ::
GaAs
Kategoria produktu ::
Transistory JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
10 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Opakowanie / etui::
PLD-1.5
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds – napięcie przebicia dren-źródło::
8 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
2.9 A
Manufacturer ::
Freescale / NXP
Wprowadzenie
MRFG35003N6AT1, z Freescale/NXP, to tranzystory RF JFET.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: