Do domu > produkty > Półprzewodniki elektroniczne

Półprzewodniki elektroniczne

Obrazczęść #OpisproducentAkcjeRFQ
jakość HMC641LP4ETR fabryka

HMC641LP4ETR

IC SWITCH SP4T NON-REFL 24-QFN
ADI / Analog Devices Inc.
jakość UPG2408TB-A fabryka

UPG2408TB-A

IC MMIC SPDT SWITCH 6-MINIMOLD
Cel
jakość MASW-008955-TR3000 fabryka

MASW-008955-TR3000

SWITCH SP3T ASSYMETRICAL 8DFN
Technologia M/A-Com
jakość ADG919BRMZ fabryka

ADG919BRMZ

IC SW SPDT 2:1 REFL MUX 8-MSOP
ADI / Analog Devices Inc.
jakość 4231-52 fabryka

4231-52

IC RF SWITCH SPDT 75 OHM 8MSOP
pPół
jakość UPG2409T6X-E2-A fabryka

UPG2409T6X-E2-A

IC SW SPDT 50MHZ-6GHZ 6-TSON
Cel
jakość PE42820MLBA-X fabryka

PE42820MLBA-X

IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 32QFN
pPół
jakość MASW-010647-13950G fabryka

MASW-010647-13950G

SWITCH SP2TM DIE
Technologia M/A-Com
jakość HMC547LP3TR fabryka

HMC547LP3TR

IC MMIC SWITCH SPDT 16QFN
ADI / Analog Devices Inc.
jakość MASW-011030-14040T fabryka

MASW-011030-14040T

IC RF SWITCH SP3T 100W 16HQFN
Technologia M/A-Com
jakość HMC922LP4ETR fabryka

HMC922LP4ETR

IC MMIC SWITCH SPDT DIFF 24-QFN
ADI / Analog Devices Inc.
jakość PE42524A-X fabryka

PE42524A-X

IC RF SWITCH SPDT FCD
pPół
jakość UPG2159T5K-E2-A fabryka

UPG2159T5K-E2-A

IC SWITCH SPDT 6-TSON
Cel
jakość RF5633TR13 fabryka

RF5633TR13

RF Amplifier 3.3 - 3.8 GHz 34 dB
Korwo
jakość QPA2309 fabryka

QPA2309

RF Amplifier
Korwo
jakość MHT1008NT1 fabryka

MHT1008NT1

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość BLA9H0912L-250U fabryka

BLA9H0912L-250U

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość BLF242 fabryka

BLF242

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość TGF3015-SM fabryka

TGF3015-SM

Dyskretne tranzystory mocy RF
Korwo
jakość A3I25X050GNR1 fabryka

A3I25X050GNR1

RF Amplifier
Półprzewodniki NXP
jakość C4H10P600AY fabryka

C4H10P600AY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość MRFE6VP5150NR1 fabryka

MRFE6VP5150NR1

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość TGA2814 fabryka

TGA2814

Amplifier, Power, 3.1- 3.6 GHz, 80W, 22 dB, 30V, DIE, GaN
Korwo
jakość MD8IC970GNR1 fabryka

MD8IC970GNR1

RF Amplifier
Półprzewodniki NXP
jakość BLF8G22LS-160BV,11 fabryka

BLF8G22LS-160BV,11

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość RFCA3828TR13 fabryka

RFCA3828TR13

RF Amplifier CATV, 0.05 - 1.2 GHz 22.5dBm,22 dB, 75Ohm
Korwo
jakość RF5632TR13 fabryka

RF5632TR13

RF Amplifier 2.3 - 2.7 GHz 36 dB
Korwo
jakość MMRF1015NR1 fabryka

MMRF1015NR1

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość SD1222 fabryka

SD1222

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość AFT27S010NT1 fabryka

AFT27S010NT1

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLV861 fabryka

BLV861

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość QPA9501 fabryka

QPA9501

RF Amplifier
Korwo
jakość TQP9221 fabryka

TQP9221

RF Amplifier
Korwo
jakość BLP10H660PGY fabryka

BLP10H660PGY

Dyskretne tranzystory mocy RF
Ampleon USA Inc.
jakość BLS7G2730LS-200PU fabryka

BLS7G2730LS-200PU

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość PT9700 fabryka

PT9700

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość A5G23H110NT4 fabryka

A5G23H110NT4

Dyskretne tranzystory mocy RF
NXP USA Inc.
jakość BLP05H6700XRY fabryka

BLP05H6700XRY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość MRFX600HR5 fabryka

MRFX600HR5

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLS9G2731LS-400U fabryka

BLS9G2731LS-400U

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość QPA2212T fabryka

QPA2212T

RF Amplifier
Korwo
jakość BLX65E fabryka

BLX65E

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość A3I20X050GNR3 fabryka

A3I20X050GNR3

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość BLC10G22XS-400AVTZ fabryka

BLC10G22XS-400AVTZ

Dyskretne tranzystory mocy RF
Ampleon USA Inc.
jakość A5G26H110NT4 fabryka

A5G26H110NT4

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość AFV10700HSR5 fabryka

AFV10700HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość MMRF5014HR5 fabryka

MMRF5014HR5

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLF368 fabryka

BLF368

Dyskretne tranzystory mocy RF
Półprzewodniki NXP
jakość BLF6G22LS-100,112 fabryka

BLF6G22LS-100,112

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość AFT27S006NT1 fabryka

AFT27S006NT1

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
317 318 319 320 321