Do domu > produkty > Obwody zintegrowane - IC

Obwody zintegrowane - IC

Obrazczęść #OpisproducentAkcjeRFQ
jakość IS42RM32400H-75BLI-TR fabryka

IS42RM32400H-75BLI-TR

DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS
ISSI
jakość IS42S16100H-7BL fabryka

IS42S16100H-7BL

DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
ISSI
jakość IS42S32160F-75ETL-TR fabryka

IS42S32160F-75ETL-TR

DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R
ISSI
jakość IS43R86400D-6BLI-TR fabryka

IS43R86400D-6BLI-TR

DRAM 512M (64Mx8) 166MHz DDR 2.5v
ISSI
jakość IS46DR16320C-25DBLA1-TR fabryka

IS46DR16320C-25DBLA1-TR

DRAM 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2
ISSI
jakość IS42S32400F-7TL-TR fabryka

IS42S32400F-7TL-TR

DRAM 128M 4Mx32 143Mhz SDRAM, 3.3v
ISSI
jakość IS43TR82560C-15HBLI fabryka

IS43TR82560C-15HBLI

DRAM 2G 256Mx8 1333MT/s DDR3 1.5V
ISSI
jakość IS45S32200L-6TLA2-TR fabryka

IS45S32200L-6TLA2-TR

DRAM Automotive 64M,3.3V SDRAM,2Mx32,166MHz
ISSI
jakość IS45S16400J-7BLA2-TR fabryka

IS45S16400J-7BLA2-TR

DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDRAM 3.3v
ISSI
jakość IS42S86400F-7TLI-TR fabryka

IS42S86400F-7TLI-TR

DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
ISSI
jakość IS43DR16128C-3DBL fabryka

IS43DR16128C-3DBL

DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16
ISSI
jakość IS43TR16256A-125KBL fabryka

IS43TR16256A-125KBL

DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM
ISSI
jakość IS43LR32160C-6BLI fabryka

IS43LR32160C-6BLI

DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
ISSI
jakość IS42S16160G-7TLI fabryka

IS42S16160G-7TLI

DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
ISSI
jakość IS46DR16160B-25DBLA2 fabryka

IS46DR16160B-25DBLA2

DRAM 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 SDRAM
ISSI
jakość IS43R32400E-4BL-TR fabryka

IS43R32400E-4BL-TR

DRAM 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v
ISSI
jakość IS42S32800J-75ETL fabryka

IS42S32800J-75ETL

DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS
ISSI
jakość IS42S16800F-6BLI-TR fabryka

IS42S16800F-6BLI-TR

DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v
ISSI
jakość IS49NLS93200-33BLI fabryka

IS49NLS93200-33BLI

DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
ISSI
jakość IS45S16320B-7BLA1 fabryka

IS45S16320B-7BLA1

DRAM 512M (32Mx16) 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
ISSI
jakość IS42VM32160D-75BLI-TR fabryka

IS42VM32160D-75BLI-TR

DRAM 512M (16Mx32) 133MHz Mobile SDRAM 1.8v
ISSI
jakość IS43R86400E-5BLI fabryka

IS43R86400E-5BLI

DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8,IT
ISSI
jakość IS42RM32800K-75BLI-TR fabryka

IS42RM32800K-75BLI-TR

DRAM 256M, 2.5V, 133Mhz Mobile SDRAM
ISSI
jakość IS42RM16200D-75BLI fabryka

IS42RM16200D-75BLI

DRAM 32M, 2.5V, M-SDRAM 2Mx16, 133Mhz, RoHS
ISSI
jakość IS46DR16320D-3DBLA2-TR fabryka

IS46DR16320D-3DBLA2-TR

DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
ISSI
jakość S25FL256SDSBHI213 fabryka

S25FL256SDSBHI213

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S25FS128SAGBHV203 fabryka

S25FS128SAGBHV203

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość SST39VF802C-70-4C-EKE-T fabryka

SST39VF802C-70-4C-EKE-T

Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash
Technologia mikroczipów
jakość S25FL256SDPMFIG03 fabryka

S25FL256SDPMFIG03

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S25FL064P0XBHV020 fabryka

S25FL064P0XBHV020

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S25FL512SAGMFVG11 fabryka

S25FL512SAGMFVG11

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S25FL256SAGBHID00 fabryka

S25FL256SAGBHID00

Flash Memory 256MB 3V 133MHz Serial NOR Flash
Rozpiętość / Cyprys
jakość SST39SF010A-55-4I-WHE fabryka

SST39SF010A-55-4I-WHE

Flash Memory 4.5V to 5.5V 1Mbit
Technologia mikroczipów
jakość S29WS064RABBHW000 fabryka

S29WS064RABBHW000

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S29CD032J0PFFM010 fabryka

S29CD032J0PFFM010

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S25FL127SABMFIZ00 fabryka

S25FL127SABMFIZ00

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S25FL512SAGMFIR11 fabryka

S25FL512SAGMFIR11

Flash Memory 512Mb, 3V, 133Mhz SPI NOR Flash
Cyprysowy półprzewodnik
jakość IS25WP032-JLLE fabryka

IS25WP032-JLLE

Flash Memory 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, ET
ISSI
jakość S70GL02GT11FHV013 fabryka

S70GL02GT11FHV013

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S70FL01GSAGMFV010 fabryka

S70FL01GSAGMFV010

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S70GL02GS11FHA013 fabryka

S70GL02GS11FHA013

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S29GL01GS10FAI013 fabryka

S29GL01GS10FAI013

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S25FL032P0XMFV003 fabryka

S25FL032P0XMFV003

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S29GL512S11TFB010 fabryka

S29GL512S11TFB010

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość S29GL01GT11TFIV10 fabryka

S29GL01GT11TFIV10

Flash Memory Nor
Cyprysowy półprzewodnik
jakość SST25VF040B-80-4I-S2AE-T fabryka

SST25VF040B-80-4I-S2AE-T

Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mbit SPI Serial Flash
Technologia mikroczipów
jakość SST39SF040-45-4C-NHE-T fabryka

SST39SF040-45-4C-NHE-T

Flash Memory 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash
Technologia mikroczipów
jakość S29GL01GT11DHIV20 fabryka

S29GL01GT11DHIV20

Flash Memory NOR
Cyprysowy półprzewodnik
jakość EP10-002165 fabryka

EP10-002165

Flash Memory Nand
Cyprysowy półprzewodnik
jakość SST26VF016BT-104I/SN fabryka

SST26VF016BT-104I/SN

Flash Memory SQI Flash Memory 16Mb 1.8V
Technologia mikroczipów
416 417 418 419 420