Do domu > produkty > Obwody zintegrowane - IC

Obwody zintegrowane - IC

Obrazczęść #OpisproducentAkcjeRFQ
jakość BLP05H6700XRY fabryka

BLP05H6700XRY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość MRFX600HR5 fabryka

MRFX600HR5

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLS9G2731LS-400U fabryka

BLS9G2731LS-400U

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość QPA2212T fabryka

QPA2212T

RF Amplifier
Korwo
jakość BLX65E fabryka

BLX65E

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość A3I20X050GNR3 fabryka

A3I20X050GNR3

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość BLC10G22XS-400AVTZ fabryka

BLC10G22XS-400AVTZ

Dyskretne tranzystory mocy RF
Ampleon USA Inc.
jakość A5G26H110NT4 fabryka

A5G26H110NT4

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość AFV10700HSR5 fabryka

AFV10700HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość MMRF5014HR5 fabryka

MMRF5014HR5

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLF368 fabryka

BLF368

Dyskretne tranzystory mocy RF
Półprzewodniki NXP
jakość BLF6G22LS-100,112 fabryka

BLF6G22LS-100,112

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość AFT27S006NT1 fabryka

AFT27S006NT1

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość MRFE6VP5300NR1 fabryka

MRFE6VP5300NR1

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLC9G27XS-380AVTZ fabryka

BLC9G27XS-380AVTZ

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość MRFE6VP61K25GNR6 fabryka

MRFE6VP61K25GNR6

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLF984PSU fabryka

BLF984PSU

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość QPA0004 fabryka

QPA0004

RF Amplifier
Korwo
jakość C1-12Z fabryka

C1-12Z

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLP05H635XRY fabryka

BLP05H635XRY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość MMRF1312HR5 fabryka

MMRF1312HR5

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość BLF6G20-180PN,112 fabryka

BLF6G20-180PN,112

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość 2N3632 fabryka

2N3632

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLM7G1822S-20PBGY fabryka

BLM7G1822S-20PBGY

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
jakość BLM10D2327-40ABZ fabryka

BLM10D2327-40ABZ

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
jakość TGA2963 fabryka

TGA2963

RF Amplifier
Korwo
jakość QPD1029L fabryka

QPD1029L

RF Power Discrete Transistors
Korwo
jakość BLM9D3538-12AMZ fabryka

BLM9D3538-12AMZ

Wzmacniacz RF
Ampleon USA Inc.
jakość QPD1022 fabryka

QPD1022

RF Power Discrete Transistors
Korwo
jakość TGF2934 fabryka

TGF2934

RF Power Discrete Transistors
Korwo
jakość A2T07D160W04SR3 fabryka

A2T07D160W04SR3

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość QPA2212 fabryka

QPA2212

RF Amplifier
Korwo
jakość BLC9H10XS-350AY fabryka

BLC9H10XS-350AY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość TP5002S fabryka

TP5002S

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość MRFE6VP61K25HSR5 fabryka

MRFE6VP61K25HSR5

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość BLC9H10XS-500AY fabryka

BLC9H10XS-500AY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość PTB20091 fabryka

PTB20091

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość A2T09D400-23NR6 fabryka

A2T09D400-23NR6

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość BLM7G1822S-80ABGY fabryka

BLM7G1822S-80ABGY

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
jakość ART2K0FEGJ fabryka

ART2K0FEGJ

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość QPD1026L fabryka

QPD1026L

RF Power Discrete Transistors
Korwo
jakość QPA9419 fabryka

QPA9419

RF Amplifier
Korwo
jakość TGA2578 fabryka

TGA2578

RF Amplifier
Korwo
jakość BLC9H10XS-505AZ fabryka

BLC9H10XS-505AZ

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość BLC9G27XS-380AVTY fabryka

BLC9G27XS-380AVTY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość BLM8G0710S-30PBY fabryka

BLM8G0710S-30PBY

Wzmacniacz RF
Ampleon USA Inc.
jakość BLM10D3438-70ABGZ fabryka

BLM10D3438-70ABGZ

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
jakość MRFE6VP6600NR3 fabryka

MRFE6VP6600NR3

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość MRFE6VP100HSR5 fabryka

MRFE6VP100HSR5

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość C2M60-28 fabryka

C2M60-28

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
317 318 319 320 321