Do domu > produkty > Obwody zintegrowane - IC

Obwody zintegrowane - IC

Obrazczęść #OpisproducentAkcjeRFQ
jakość [#varpname#] fabryka

BLF6G22-45,112

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

QPA2229D

RF Amplifier
Korwo
jakość [#varpname#] fabryka

QPA9226

RF Amplifier
Korwo
jakość [#varpname#] fabryka

MMRF1304GNR1

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

R3005300L

Wzmacniacz RF 5-300 MHz NF 5,5 dB, wzmocnienie 31,5 dB
Korwo
jakość [#varpname#] fabryka

Wymagania dotyczące:

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

MMRF1310HSR5

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

UTV040F

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

MRFE6VP6600GNR3

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

BLC10G19XS-551AVY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

BLC9H10XS-300PY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

SRF820H

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

TPV364

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

BLW98

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

BLC10G22XS-570AVTY

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

TGA2307-SM

RF Amplifier
Korwo
jakość [#varpname#] fabryka

Wymagania dotyczące:

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

BLF7G27L-90P,118

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

MRF8VP13350NR5

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

A3T19H455W23SR6

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

SZM5066ZTR13

RF Amplifier 5.1-5.9GHz SSG 18dB Pout 25dBm
Korwo
jakość [#varpname#] fabryka

AFT20S015GNR1

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

CMD262

RF Power Amplifier, GaN, 26 to 28 GHz, 26 dB, 37.5 dBm, DIE
Korwo
jakość [#varpname#] fabryka

BLM9D2327S-50PBY

RF Amplifier
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

A3G26H502W17SR3

RF Power Discrete Transistors
NXP USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

BLP0408H9S30Z

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

QPD1016

RF Power Discrete Transistors
Korwo
jakość [#varpname#] fabryka

MRF641

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

TQP9218

RF Amplifier
Korwo
jakość [#varpname#] fabryka

C4H18W500AZ

RF Power Discrete Transistors
Ampleon USA Inc.
jakość [#varpname#] fabryka

VMIL100

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

TPV375

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

BLV861MP

RF Power Discrete Transistors
Półprzewodniki NXP
jakość [#varpname#] fabryka

ZFBT-6G+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

TCBT-2R5G+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

JEBT-4R2G+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

RDP-2R15+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

SDP-2R15+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

TCBT-6G+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

ZFBT-352-FT+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

ZFBT-282-1,5A+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

ZX75-23-S+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

ZFBT-6GW+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

RDP-272+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

ZDPLX-2150-S+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

ZX85-12G-S+

Koszulki RF
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

JEBT-4R2GW+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

LDPG-272-492+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

TCBT-14R+

RF Bias Tees
Miniobwody
jakość [#varpname#] fabryka

JEBT-4R2GW

RF Bias Tees
Miniobwody
318 319 320 321 322